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NTF3055 ? 100, NVF3055 ? 100
800
700
V DS = 0 V
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
12
10
Q T
600
500
400
300
C rss
C iss
8
6
4
Q 1
Q 2
V GS
200
C oss
100
0
10
5 V GS 0 V DS 5
C rss
10
15
20
25
2
0
0
2
4
6
8
I D = 3 A
T J = 25 ° C
10
12
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
100
V DS = 30 V
I D = 3 A
V GS = 10 V
t f
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(off)
t r
t d(on)
2
1
1
1
10
100
0
0.54
0.58 0.62
0.66
0.7
0.74 0.78 0.82 0.86
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
100
10
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
80
70
60
I D = 7 A
50
1
0.1
10 ms
1 ms
40
30
20
0.1
0.01
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
100 m s
10
dc
100
10
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
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